以下是小编收集整理的堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征，本文共8篇，仅供参考，希望对大家有所帮助。本文原稿由网友“赤兔子不爱吃草”提供。
篇1：堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征
堇青石基体化学气相沉积碳化硅薄膜及其性能表征
采用等温等压化学气相沉积技术,分别以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2为气源,在沉积温度1100和1000℃、压力101kPa条件下,制备了SiC薄膜.利用SEM和XRD、显微拉曼光谱、EDAX元素分析、HRTEM等测试技术对沉积薄膜的结构和组成进行了表征.结果表明,1100℃时,以CH3SiCl3-H2为气源沉积得到纯净的SiC薄膜,以β-SiC(111)面择优定向生长,由微米级的金字塔锥形结构组成,硅含量随着沉积温度降低而增加;以SiCl4-CH4-H2为气源沉积得到非晶态碳掺杂的SiC薄膜,碳含量随着沉积温度降低而增加此外,以CH3SiCl3-H2为气源沉积的SiC颗粒平均粒径均比以SiCl4-CH4-H2为气源的粒径大.前者SiC薄膜的`方块电阻在kΩ级以上,且随着沉积温度的下降急剧升高;后者1100℃时制备的薄膜的方块电阻在kΩ级以上,且随着沉积温度的降低而急剧下降,1000℃时降低到Ω级.
作 者：尹博文 杨艳 马兵 张伟刚 YIN Bo-wen YANG Yan MA Bing ZHANG Wei-gang 作者单位：尹博文,杨艳,YIN Bo-wen,YANG Yan(中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室,北京100190;中国科学院研究生院,北京100049)马兵,张伟刚,MA Bing,ZHANG Wei-gang(中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室,北京,100190)
刊 名：过程工程学报 ISTIC PKU英文刊名：THE CHINESE JOURNAL OF PROCESS ENGINEERING 年，卷(期)： 8(3) 分类号：O484 关键词：化学气相沉积 β-SiC 堇青石 表征篇2：气相沉积制备硬质薄膜技术与应用述评
气相沉积制备硬质薄膜技术与应用述评
本文对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评,重点强调了等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)的`优势、进展及其在工模具领域的应用.
作 者：马胜利 徐可为 介万奇 作者单位：马胜利(西北工业大学金属凝固技术国家重点实验室,西安,710072;西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049)徐可为(西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049)
介万奇(西北工业大学金属凝固技术国家重点实验室,西安,710072)
刊 名：真空科学与技术学报 ISTIC EI PKU英文刊名：VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 22(6) 分类号：O484 关键词：气相沉积技术 硬质薄膜 PCVD篇3：电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CFx薄膜的化学键结构
电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CFx薄膜的化学键结构
使用CHF3和C6H6混合气体做气源，在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳(a-CFx)薄膜。利用发射光谱研究了等离子体中形成的各种碳-氟、碳-氢基团随放电宏观参量的`变化规律，对薄膜做了傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱分析，证实等离子体中的CF2，CF和CH基团是控制薄膜生长、碳/氟成分比和化学键结构的主要前驱物。
作 者：宁兆元 程珊华 叶超 NING Zhao-yuan Cheng Shan-Hua Ye Chao 作者单位：苏州大学物理系, 刊 名：物理学报 ISTIC SCI PKU英文刊名：ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 50(3) 分类号：O4 关键词：氟化非晶碳薄膜 电子回旋共振等离子体篇4：生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响
生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响
以Zn(C2H5)2和CO2为反应源,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法,在Si衬底上外延生长了高质量的.ZnO薄膜.用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响.X射线衍射结果表明,在生长温度为230℃时制备出了高质量(0002)择优取向的ZnO薄膜,其半高宽为0.26°.光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜.
作 者：支壮志 李炳生 刘益春 吕有明 申德振 张吉英 孔祥贵 范希武 作者单位：支壮志(东北师范大学物理系,长春,130024)李炳生,刘益春,吕有明,申德振,张吉英,孔祥贵,范希武(中国科学院激发态物理开放实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021)
刊 名：真空科学与技术学报 ISTIC EI PKU英文刊名：VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 22(1) 分类号：O484.4 O441.6 关键词：ZnO薄膜 等离子增强化学气相沉积 二乙基锌篇5：气相CdCl2退火对CdTe多晶薄膜性能的影响
气相CdCl2退火对CdTe多晶薄膜性能的影响
利用近空间升华法在Ar+O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的退火,对样品进行了厚度、XRD、SEM、透过谱,σ-T等性能测试,结果表明:退火后CdTe多晶薄膜在(111)面上仍具有择优取向,退火能使晶界钝化,增加再结晶并促进晶粒长大;但对薄膜的'透过率没有影响,退火后,暗电导(σdark)增加,电导激活能(Ea)减少.得到了最优化的退火条件.
作 者：曾广根 黎兵 郑家贵 冯良桓 蔡伟 ZENG Guang-gen LI Bing ZHENG Jia-gui FENG Liang-huan CAI Wei 作者单位：四川大学太阳能材料与器件研究所,成都,610064 刊 名：功能材料与器件学报 ISTIC PKU英文刊名：JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES 年，卷(期)： 14(3) 分类号：O484 TM914.4 关键词：CdTe多晶薄膜 退火 太阳电池篇6：液相电化学沉积法制备高氮含量CNx薄膜及性能的研究
液相电化学沉积法制备高氮含量CNx薄膜及性能的研究
采用液相电化学沉积法, 以二氰二胺的丙酮溶液为沉积液, 以镀有ITO(铟锡氧化膜)的.导电玻璃为衬底制备了CNx薄膜. 初步探讨了沉积温度和沉积电压对薄膜中氮含量的影响. 通过XPS、FTIR光谱、SEM和US-Vis光谱对得到的CNx薄膜的化学结合状态、结构形貌和光学性质进行了表征, 并用高电阻仪对薄膜的绝缘性进行了分析. XPS结果表明, CNx薄膜中碳氮主要以单键连接, sp3杂化的C-N键占85%. 在IR光谱中, 仅出现了C-N键和CN双键的吸收峰. SEM图谱显示CNx薄膜呈颗粒状, 粒径平均为80 nm左右. 在水浴加热条件下沉积的CNx薄膜在200～300 nm近紫外区为非线性吸收. 薄膜的电阻率随氮含量的增加而增大, 测量值在1012～1016 Ω*cm之间.
作 者：张加涛 曹传宝 吕强 李超 朱鹤孙 作者单位：北京理工大学材料科学研究中心,北京,100081 刊 名：高等学校化学学报 ISTIC SCI PKU英文刊名：CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES 年，卷(期)： 24(7) 分类号：O614 关键词：CNx 电化学沉积 阴极 导电玻璃 二氰二胺篇7：行星式化学气相沉积反应器内对流涡旋的数值模拟
行星式化学气相沉积反应器内对流涡旋的数值模拟
摘要：针对三重进口行星式CVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.通过改变反应腔几何尺寸、导流管位置、三重进口流量组合、压强、温度等条件,研究反应器内对流涡旋的相应变化.根据模拟结果,对这类反应器中输运现象与外部参数的关系,特别是反应腔内对流涡旋的'产生和发展作了较全面的分析和讨论,给出了抑制对流涡旋、获得薄膜生长所需的最佳输运过程的条件. 作者： 左然[1] 张红[1] 刘祥林[2] Author： ZUO Ran[1] ZHANG Hong[1] LIU Xiang-lin[2] 作者单位： 江苏大学能源与动力工程学院,江苏,镇江,21中国科学院半导体研究所,北京,100080 期 刊： 工程热物理学报 ISTICEIPKU Journal： JOURNAL OF ENGINEERING THERMOPHYSICS 年，卷(期)： , 26(4) 分类号： H8115 Q4725 关键词： 化学气相沉积 输运过程 热对流 数值模拟 机标分类号： TQ3 TN3 机标关键词： 行星式 化学气相沉积 反应器 对流涡旋 输运过程 反应腔 外部参数 模拟研究 模拟结果 流量组合 进口 几何尺寸 二维数值 薄膜生长 相应变 导流管 压强 温度 位置 基金项目： 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，江苏大学校科研和教改项目 行星式化学气相沉积反应器内对流涡旋的数值模拟[期刊论文] 工程热物理学报 --2005, 26(4)左然 张红 刘祥林针对三重进口行星式CVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.通过改变反应腔几何尺寸、导流管位置、三重进口流量组合、压强、温度等条件,研究反应器内对流涡旋的相应变化.根据模拟结果,对这类反应器中输运现象与外部参...篇8：稀土对BaTiO3陶瓷的气相化学热扩渗及其电性能研究
稀土对BaTiO3陶瓷的气相化学热扩渗及其电性能研究
采用气相法对钛酸钡陶瓷扩渗稀土元素,稀土扩渗使BaTiO3陶瓷的电性能发生了显著变化.室温电阻率明显下降,从4.3×109Ω@m变为4.84Ω@m;随着频率增大和温度升高,交流电导逐渐增大,BaTiO3陶瓷的导电性更强.稀土扩渗使BaTiOa陶瓷的'介电常数明显增加,尤其在低频下增加显著;介电常数随温度的变化呈明显的PTC效应,并使BaTiO3陶瓷的居里温度升高为124.9℃.经XRD分析,扩渗的稀土元素并没有进入BaTiO3陶瓷的晶格中,而是存在于晶界上.经XPS测试分析,稀土扩渗后的BaTiO3陶瓷中钡、钛、稀土等都存在着不同程度的变价,因而导致了BaTiO3陶瓷电阻率的降低.TG-DTA曲线分析表明,稀土扩渗后的BaTiO3陶瓷有较好的高温热稳定性.
作 者：郝素娥 韦永德 作者单位：哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001 刊 名：无机化学学报 ISTIC SCI PKU英文刊名：CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY 年，卷(期)：2003 19(2) 分类号：O614.23+3 O614.33+5 O614.41+1 关键词：稀土 钛酸钡 气相扩渗
